7月21日，據陜西新聞聯播報道，陜西電子芯業時代8英寸高性能特色工藝半導體生產線目前已進入沖刺通線的關鍵節點，計劃九月份開始
7月17日，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為創芯八載，無限熱愛的8
推動國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)(以下簡稱“國創中心(蘇州)”)創新平臺高質量發展，現面向全國發布 2025 年度國創中心(蘇州)“揭榜掛帥”項目指南并組織申報
由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經四年攻關，首創一種“蒸籠”新方法，首次在國際上成功實現高質量硒化銦材料的晶圓級集成制造，并研制出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。
北京大學電子學院王興軍教授、舒浩文研究員和美國加州大學圣塔芭芭拉分校John E. Bowers院士聯合團隊在超高速光互連領域取得突破性進展
湖州漢天下電子有限公司舉行SAW（聲表面波）濾波器產線通線儀式
2025年7月18日，由智新半導體有限公司牽頭起草的T/CASAS 041202X《基于感性負載的SiC功率模塊老化篩選試驗方法》已形成委員會草
2025年7月18日，由中國科學院長春光學精密機械與物理研究所牽頭起草的T/CASAS 049202X《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測試方法
2025年7月18日，由中國科學院長春光學精密機械與物理研究所牽頭起草的T/CASAS 049202X《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測試方法
近日，邁為股份自主研發的全自動晶圓級混合鍵合設備成功交付國內新客戶，這是公司在半導體領域達成的又一重要合作。該設備憑借高
華工科技核心子公司華工激光智能激光除草機器人項目落地簽約儀式在哈爾濱新區成功舉辦
氫基新能科技集團與主投方上海卓遠方德半導體有限公司聯合投資的集成電路新材料第四代半導體MPCVD金剛石材料及高端晶圓生產基地項目正式動土建設。
華東理工大學與盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）正式簽署共建“華東理工大學-盛美上海高端半導體裝備聯合技術創新轉移中心”協議。
寧夏創盛年產60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目開工建設
中國臺灣地區仍是其核心基地，魏哲家稱未來幾年臺積電將在此建11座晶圓廠、4座先進封裝廠，并在新竹與高雄布局2納米。
7月18日，國新辦召開新聞發布會，介紹2025年上半年工業和信息化發展情況。記者從會上獲悉，工信部已將2400余家中試平臺納入儲備
7月16日，兆馳股份旗下孫公司江西兆馳集成舉辦光通激光外延與芯片產品線通線儀式。據悉，兆馳集團于2024年12月20日宣布投建年產1
研究首次澄清了GaN異質外延中螺位錯（open-core）和刃位錯對GaN基功率電子器件的關鍵可靠性-動態導通電阻退化的影響機理，構建了“雙通道位錯輸運”模型，明確了GaN外延層中螺位錯和刃位錯可分別充當電子與空穴的獨立傳輸路徑，對器件漏電和動態電阻的退化產生相反的影響。
本研究工作提出了一種有效方法，通過在GaN/AlN量子阱（QW）界面引入氮空位（VN），解決了發光二極管（LED）中長期存在的載流子非對稱注入問題。VN態起到了“臺階”的作用，同時也提供了足夠大的擾動勢；它通過提升能帶連續性和增強電-聲子（el-ph）耦合，顯著改善了電子向導帶底的弛豫過程。電子弛豫時間（τe）從最初的 8.61 ps降至 0.15 ps，達到了與空穴弛豫時間（τh，0.12 皮秒）相當的水平。這項工作不僅消除了GaN基光源中一個長期存在的瓶頸，也為利用缺陷來設計載流子弛豫提供了新視角。
參觀登記領專屬福利！SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業創新展九月深圳見